Nitrogen incorporation into high-k gate dielectrics - Evaluation of nitrogen incorporation effects in HfO2 and HfSiO gate dielectrics for improved MOSFET performance
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Nitrogen Incorporation Into High-K Gate Dielectrics, Evaluation of nitrogen incorporation effects in HfO2 and HfSiO gate dielectrics for improved MOSFET performance (2009)
DE PB NWISBN: 9783639157055 bzw. 3639157052, in Deutsch, Vdm Verlag, Taschenbuch, neu.
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Nitrogen incorporation into high-k gate dielectrics: Evaluation of nitrogen incorporation effects in HfO2 and HfSiO gate dielectrics for improved MOSFET performance (2009)
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Nitrogen Incorporation into High-K Gate Dielectrics by Hag-Ju Cho (2009,.
DE NWISBN: 9783639157055 bzw. 3639157052, in Deutsch, VDM Verlag Dr. Müller, Saarbrücken, Deutschland, neu.
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Nitrogen incorporation into high-k gate dielectrics (2009)
DE PB NWISBN: 9783639157055 bzw. 3639157052, in Deutsch, VDM Verlag Dr. Müller, Taschenbuch, neu.
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![9783639157055 - Nitrogen Incorporation Into High-K Gate Dielectrics by Cho, Hag-Ju [Paperback]](https://diebuchsuche.de/c-9783639157055-3.jpg "9783639157055 - Nitrogen Incorporation Into High-K Gate Dielectrics by Cho, Hag-Ju [Paperback]")
Nitrogen Incorporation Into High-K Gate Dielectrics by Cho, Hag-Ju [Paperback]
DE PB NWISBN: 9783639157055 bzw. 3639157052, in Deutsch, VDM Verlag Dr. Müller, Saarbrücken, Deutschland, Taschenbuch, neu.
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