Transistorverstärker: Technische Grundlagen - 6 Angebote vergleichen
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Schnitt | € 52,96 | € 72,57 | € 52,00 | € 55,69 | € 52,90 |
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Transistorverstärker: Technische Grundlagen
~DE NW
ISBN: 9783519300625 bzw. 3519300621, vermutlich in Deutsch, Teubner, Stuttgart, Deutschland, neu.
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1. Zählrichtungen und Vorzeichen für Transistorströme und -Spannungen.- 2. Transistor-Grundschaltungen.- 3. Transistor-Kennlinien.- 4. Bezeichnungsschema für Transistoren.- 5. Grundlegende Gleich- und Wechselstromeigenschaften.- 5.1. Wechselstrom-Arbeitswiderstand.- 5.2. Wechselstrom-Eingangswiderstand.- 5.3. Gleichstromwiderstände.- 5.4. Gleichstromverstärkung.- 5.5. Wechselstromverstärkung.- 5.6. Steilheit in Emitter-Schaltung.- 5.7. Spannungsrückwirkung.- 5.8. Darstellung der Kenngrößen im Datenbuch.- 5.9. Näherungsformeln für die Praxis.- 6. Arbeitsgerade.- 6.1. Gleichstrom-Arbeitsgerade.- 6.2. Wechselstrom-Arbeitsgerade.- 7. Dynamische Kennlinie.- 8. Verlustleistung und Kristalltemperatur.- 8.1. Allgemeine Grundlagen.- 8.2. Dimensionierung von Kühlblechen.- 8.3. Stationäre Verlustleistung.- 8.4. Verlustleistungshyperbel.- 8.5. Berechnungsbeispiele.- 8.6. Oberflächenmontierte Transistoren.- 9. Restströme.- 10. Einstellung und Stabilisierung des Transistor-Arbeitspunktes.- 10.1. Konstante Versorgungsspannung UBE und UCE.- 10.2. Prinzip der "halben Speisespannung".- 10.3. Gleichstrom-Gegenkopplung und niederohmiger Basis-Spannungsteiler.- 10.4. Basisvorwiderstand.- 10.5. Kollektor-Basis-Widerstand.- 10.6. Basisspannungsteiler mit NTC-Widerstand.- 10.7. Arbeitspunktstabilisierung mit einer Diode.- 11. Arbeitsbereiche, Grenzdaten, Durchbruch.- 11.1. Arbeitsbereiche des Transistors.- 11.2. Grenzdaten, erster und zweiter Durchbruch.- 11.3. Erlaubter Arbeitsbereich.- 11.4. Zur Wahl des Arbeitspunktes.- 12. Feldeffekttransistoren.- 12.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 12.1.1. Statische Eigenschaften/Kennlinien.- 12.1.2. Steilheit.- 12.2. MOS-Feldeffekttransistoren.- 12.3. Einteilung der FET-Typen.- 12.4. Temperaturverhalten.- 12.5. Arbeitspunkteinstellung.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.
1. Zählrichtungen und Vorzeichen für Transistorströme und -Spannungen.- 2. Transistor-Grundschaltungen.- 3. Transistor-Kennlinien.- 4. Bezeichnungsschema für Transistoren.- 5. Grundlegende Gleich- und Wechselstromeigenschaften.- 5.1. Wechselstrom-Arbeitswiderstand.- 5.2. Wechselstrom-Eingangswiderstand.- 5.3. Gleichstromwiderstände.- 5.4. Gleichstromverstärkung.- 5.5. Wechselstromverstärkung.- 5.6. Steilheit in Emitter-Schaltung.- 5.7. Spannungsrückwirkung.- 5.8. Darstellung der Kenngrößen im Datenbuch.- 5.9. Näherungsformeln für die Praxis.- 6. Arbeitsgerade.- 6.1. Gleichstrom-Arbeitsgerade.- 6.2. Wechselstrom-Arbeitsgerade.- 7. Dynamische Kennlinie.- 8. Verlustleistung und Kristalltemperatur.- 8.1. Allgemeine Grundlagen.- 8.2. Dimensionierung von Kühlblechen.- 8.3. Stationäre Verlustleistung.- 8.4. Verlustleistungshyperbel.- 8.5. Berechnungsbeispiele.- 8.6. Oberflächenmontierte Transistoren.- 9. Restströme.- 10. Einstellung und Stabilisierung des Transistor-Arbeitspunktes.- 10.1. Konstante Versorgungsspannung UBE und UCE.- 10.2. Prinzip der "halben Speisespannung".- 10.3. Gleichstrom-Gegenkopplung und niederohmiger Basis-Spannungsteiler.- 10.4. Basisvorwiderstand.- 10.5. Kollektor-Basis-Widerstand.- 10.6. Basisspannungsteiler mit NTC-Widerstand.- 10.7. Arbeitspunktstabilisierung mit einer Diode.- 11. Arbeitsbereiche, Grenzdaten, Durchbruch.- 11.1. Arbeitsbereiche des Transistors.- 11.2. Grenzdaten, erster und zweiter Durchbruch.- 11.3. Erlaubter Arbeitsbereich.- 11.4. Zur Wahl des Arbeitspunktes.- 12. Feldeffekttransistoren.- 12.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 12.1.1. Statische Eigenschaften/Kennlinien.- 12.1.2. Steilheit.- 12.2. MOS-Feldeffekttransistoren.- 12.3. Einteilung der FET-Typen.- 12.4. Temperaturverhalten.- 12.5. Arbeitspunkteinstellung.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.
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Symbolbild
Transistorverstärker (1989)
DE PB NW
ISBN: 9783519300625 bzw. 3519300621, in Deutsch, Vieweg & Teubner Verlag Okt 1989, Taschenbuch, neu.
Lieferung aus: Deutschland, Versandkostenfrei.
Von Händler/Antiquariat, Rhein-Team Lörrach Ivano Narducci e.K. [57451429], Lörrach, Germany.
Neuware - Inhaltsangabe1. Zählrichtungen und Vorzeichen für Transistorströme und -Spannungen.- 2. Transistor-Grundschaltungen.- 3. Transistor-Kennlinien.- 4. Bezeichnungsschema für Transistoren.- 5. Grundlegende Gleich- und Wechselstromeigenschaften.- 5.1. Wechselstrom-Arbeitswiderstand.- 5.2. Wechselstrom-Eingangswiderstand.- 5.3. Gleichstromwiderstände.- 5.4. Gleichstromverstärkung.- 5.5. Wechselstromverstärkung.- 5.6. Steilheit in Emitter-Schaltung.- 5.7. Spannungsrückwirkung.- 5.8. Darstellung der Kenngrößen im Datenbuch.- 5.9. Näherungsformeln für die Praxis.- 6. Arbeitsgerade.- 6.1. Gleichstrom-Arbeitsgerade.- 6.2. Wechselstrom-Arbeitsgerade.- 7. Dynamische Kennlinie.- 8. Verlustleistung und Kristalltemperatur.- 8.1. Allgemeine Grundlagen.- 8.2. Dimensionierung von Kühlblechen.- 8.3. Stationäre Verlustleistung.- 8.4. Verlustleistungshyperbel.- 8.5. Berechnungsbeispiele.- 8.6. Oberflächenmontierte Transistoren.- 9. Restströme.- 10. Einstellung und Stabilisierung des Transistor-Arbeitspunktes.- 10.1. Konstante Versorgungsspannung UBE und UCE.- 10.2. Prinzip der 'halben Speisespannung'.- 10.3. Gleichstrom-Gegenkopplung und niederohmiger Basis-Spannungsteiler.- 10.4. Basisvorwiderstand.- 10.5. Kollektor-Basis-Widerstand.- 10.6. Basisspannungsteiler mit NTC-Widerstand.- 10.7. Arbeitspunktstabilisierung mit einer Diode.- 11. Arbeitsbereiche, Grenzdaten, Durchbruch.- 11.1. Arbeitsbereiche des Transistors.- 11.2. Grenzdaten, erster und zweiter Durchbruch.- 11.3. Erlaubter Arbeitsbereich.- 11.4. Zur Wahl des Arbeitspunktes.- 12. Feldeffekttransistoren.- 12.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 12.1.1. Statische Eigenschaften/Kennlinien.- 12.1.2. Steilheit.- 12.2. MOS-Feldeffekttransistoren.- 12.3. Einteilung der FET-Typen.- 12.4. Temperaturverhalten.- 12.5. Arbeitspunkteinstellung.- Liste der wichtigsten Formelzeichen. 248 pp. Deutsch.
Von Händler/Antiquariat, Rhein-Team Lörrach Ivano Narducci e.K. [57451429], Lörrach, Germany.
Neuware - Inhaltsangabe1. Zählrichtungen und Vorzeichen für Transistorströme und -Spannungen.- 2. Transistor-Grundschaltungen.- 3. Transistor-Kennlinien.- 4. Bezeichnungsschema für Transistoren.- 5. Grundlegende Gleich- und Wechselstromeigenschaften.- 5.1. Wechselstrom-Arbeitswiderstand.- 5.2. Wechselstrom-Eingangswiderstand.- 5.3. Gleichstromwiderstände.- 5.4. Gleichstromverstärkung.- 5.5. Wechselstromverstärkung.- 5.6. Steilheit in Emitter-Schaltung.- 5.7. Spannungsrückwirkung.- 5.8. Darstellung der Kenngrößen im Datenbuch.- 5.9. Näherungsformeln für die Praxis.- 6. Arbeitsgerade.- 6.1. Gleichstrom-Arbeitsgerade.- 6.2. Wechselstrom-Arbeitsgerade.- 7. Dynamische Kennlinie.- 8. Verlustleistung und Kristalltemperatur.- 8.1. Allgemeine Grundlagen.- 8.2. Dimensionierung von Kühlblechen.- 8.3. Stationäre Verlustleistung.- 8.4. Verlustleistungshyperbel.- 8.5. Berechnungsbeispiele.- 8.6. Oberflächenmontierte Transistoren.- 9. Restströme.- 10. Einstellung und Stabilisierung des Transistor-Arbeitspunktes.- 10.1. Konstante Versorgungsspannung UBE und UCE.- 10.2. Prinzip der 'halben Speisespannung'.- 10.3. Gleichstrom-Gegenkopplung und niederohmiger Basis-Spannungsteiler.- 10.4. Basisvorwiderstand.- 10.5. Kollektor-Basis-Widerstand.- 10.6. Basisspannungsteiler mit NTC-Widerstand.- 10.7. Arbeitspunktstabilisierung mit einer Diode.- 11. Arbeitsbereiche, Grenzdaten, Durchbruch.- 11.1. Arbeitsbereiche des Transistors.- 11.2. Grenzdaten, erster und zweiter Durchbruch.- 11.3. Erlaubter Arbeitsbereich.- 11.4. Zur Wahl des Arbeitspunktes.- 12. Feldeffekttransistoren.- 12.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 12.1.1. Statische Eigenschaften/Kennlinien.- 12.1.2. Steilheit.- 12.2. MOS-Feldeffekttransistoren.- 12.3. Einteilung der FET-Typen.- 12.4. Temperaturverhalten.- 12.5. Arbeitspunkteinstellung.- Liste der wichtigsten Formelzeichen. 248 pp. Deutsch.
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Transistorverstärker - Technische Grundlagen
DE PB NW
ISBN: 9783519300625 bzw. 3519300621, in Deutsch, Vieweg & Teubner Verlag, Taschenbuch, neu.
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Transistorverstärker: Inhaltsangabe1. Zählrichtungen und Vorzeichen für Transistorströme und -Spannungen.- 2. Transistor-Grundschaltungen.- 3. Transistor-Kennlinien.- 4. Bezeichnungsschema für Transistoren.- 5. Grundlegende Gleich- und Wechselstromeigenschaften.- 5.1. Wechselstrom-Arbeitswiderstand.- 5.2. Wechselstrom-Eingangswiderstand.- 5.3. Gleichstromwiderstände.- 5.4. Gleichstromverstärkung.- 5.5. Wechselstromverstärkung.- 5.6. Steilheit in Emitter-Schaltung.- 5.7. Spannungsrückwirkung.- 5.8. Darstellung der Kenngrößen im Datenbuch.- 5.9. Näherungsformeln für die Praxis.- 6. Arbeitsgerade.- 6.1. Gleichstrom-Arbeitsgerade.- 6.2. Wechselstrom-Arbeitsgerade.- 7. Dynamische Kennlinie.- 8. Verlustleistung und Kristalltemperatur.- 8.1. Allgemeine Grundlagen.- 8.2. Dimensionierung von Kühlblechen.- 8.3. Stationäre Verlustleistung.- 8.4. Verlustleistungshyperbel.- 8.5. Berechnungsbeispiele.- 8.6. Oberflächenmontierte Transistoren.- 9. Restströme.- 10. Einstellung und Stabilisierung des Transistor-Arbeitspunktes.- 10.1. Konstante Versorgungsspannung UBE und UCE.- 10.2. Prinzip der `halben Speisespannung`.- 10.3. Gleichstrom-Gegenkopplung und niederohmiger Basis-Spannungsteiler.- 10.4. Basisvorwiderstand.- 10.5. Kollektor-Basis-Widerstand.- 10.6. Basisspannungsteiler mit NTC-Widerstand.- 10.7. Arbeitspunktstabilisierung mit einer Diode.- 11. Arbeitsbereiche, Grenzdaten, Durchbruch.- 11.1. Arbeitsbereiche des Transistors.- 11.2. Grenzdaten, erster und zweiter Durchbruch.- 11.3. Erlaubter Arbeitsbereich.- 11.4. Zur Wahl des Arbeitspunktes.- 12. Feldeffekttransistoren.- 12.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 12.1.1. Statische Eigenschaften/Kennlinien.- 12.1.2. Steilheit.- 12.2. MOS-Feldeffekttransistoren.- 12.3. Einteilung der FET-Typen.- 12.4. Temperaturverhalten.- 12.5. Arbeitspunkteinstellung.- Liste der wichtigsten Formelzeichen. Taschenbuch.
Transistorverstärker: Inhaltsangabe1. Zählrichtungen und Vorzeichen für Transistorströme und -Spannungen.- 2. Transistor-Grundschaltungen.- 3. Transistor-Kennlinien.- 4. Bezeichnungsschema für Transistoren.- 5. Grundlegende Gleich- und Wechselstromeigenschaften.- 5.1. Wechselstrom-Arbeitswiderstand.- 5.2. Wechselstrom-Eingangswiderstand.- 5.3. Gleichstromwiderstände.- 5.4. Gleichstromverstärkung.- 5.5. Wechselstromverstärkung.- 5.6. Steilheit in Emitter-Schaltung.- 5.7. Spannungsrückwirkung.- 5.8. Darstellung der Kenngrößen im Datenbuch.- 5.9. Näherungsformeln für die Praxis.- 6. Arbeitsgerade.- 6.1. Gleichstrom-Arbeitsgerade.- 6.2. Wechselstrom-Arbeitsgerade.- 7. Dynamische Kennlinie.- 8. Verlustleistung und Kristalltemperatur.- 8.1. Allgemeine Grundlagen.- 8.2. Dimensionierung von Kühlblechen.- 8.3. Stationäre Verlustleistung.- 8.4. Verlustleistungshyperbel.- 8.5. Berechnungsbeispiele.- 8.6. Oberflächenmontierte Transistoren.- 9. Restströme.- 10. Einstellung und Stabilisierung des Transistor-Arbeitspunktes.- 10.1. Konstante Versorgungsspannung UBE und UCE.- 10.2. Prinzip der `halben Speisespannung`.- 10.3. Gleichstrom-Gegenkopplung und niederohmiger Basis-Spannungsteiler.- 10.4. Basisvorwiderstand.- 10.5. Kollektor-Basis-Widerstand.- 10.6. Basisspannungsteiler mit NTC-Widerstand.- 10.7. Arbeitspunktstabilisierung mit einer Diode.- 11. Arbeitsbereiche, Grenzdaten, Durchbruch.- 11.1. Arbeitsbereiche des Transistors.- 11.2. Grenzdaten, erster und zweiter Durchbruch.- 11.3. Erlaubter Arbeitsbereich.- 11.4. Zur Wahl des Arbeitspunktes.- 12. Feldeffekttransistoren.- 12.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 12.1.1. Statische Eigenschaften/Kennlinien.- 12.1.2. Steilheit.- 12.2. MOS-Feldeffekttransistoren.- 12.3. Einteilung der FET-Typen.- 12.4. Temperaturverhalten.- 12.5. Arbeitspunkteinstellung.- Liste der wichtigsten Formelzeichen. Taschenbuch.
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Teubner Studienskripten, Bd.62, Transistorverstärker (Teubner Studienskripte Technik) (1989)
DE PB
ISBN: 9783519300625 bzw. 3519300621, in Deutsch, Vieweg+Teubner Verlag, Taschenbuch.
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Von Händler/Antiquariat, getbooks GmbH, 65510 Idstein.
248 Seiten Taschenbuch Gepflegtes Gebraucht-/Antiquariatsexemplar. Zustand unter Berücksichtigung des Alters gut. Tagesaktueller, sicherer und weltweiter Versand. Wir liefern grundsätzlich mit beiliegender Rechnung. 760198.01 Versand D: 2,50 EUR Ingenieurwesen & Technik / Nachschlagewerke.
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