Floating Gate Analogspeicher im Single-Poly UMC 180nm CMOS-Prozess: für hardware-basierte Neuronale Netze
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Floating Gate Analogspeicher im Single-Poly UMC 180nm CMOS-Prozess
DE PB NWISBN: 9783639857122 bzw. 3639857127, in Deutsch, Av Akademikerverlag, Taschenbuch, neu.
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buecher.de GmbH & Co. KG, [1].
In der vorliegenden Arbeit wird ein Floating Gate Transistor im Single-Poly UMC 0.18m CMOS-Prozess entwickelt, der zur nichtflüchtigen Speicherung von analogen Spannungswerten in einem hardwarebasierten neuronalen Netz eingesetzt werden kann. Im ersten Teil der Arbeit wird ein Tunnelstrommodell entwickelt, das als Grundlage für den Entwurf einer Speicherzelle, basierend auf einem Floating Gate Transistor, dient. Nachfolgend wird die Implementierung verschiedener Testzellen auf einem Mikrochip in einem Standardprozess, der zur Herstellung der neuronalen Netzwerkchips verwendet werden kann, beschrieben. Die Vermessung des Mikrochips im zweiten Teil der Arbeit ermöglicht die Verifikation der Funktionsweise der Zelle und die Anpassung des entwickelten Tunnelstrommodells im verwendeten Herstellungsprozess, so dass eine vollständige Simulation dieses Floating Gate Transistors, eingebettet in Analogschaltungen, durchgeführt werden kann.2015. 140 S. 220 mmVersandfertig in 3-5 Tagen, Softcover.
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In der vorliegenden Arbeit wird ein Floating Gate Transistor im Single-Poly UMC 0.18m CMOS-Prozess entwickelt, der zur nichtflüchtigen Speicherung von analogen Spannungswerten in einem hardwarebasierten neuronalen Netz eingesetzt werden kann. Im ersten Teil der Arbeit wird ein Tunnelstrommodell entwickelt, das als Grundlage für den Entwurf einer Speicherzelle, basierend auf einem Floating Gate Transistor, dient. Nachfolgend wird die Implementierung verschiedener Testzellen auf einem Mikrochip in einem Standardprozess, der zur Herstellung der neuronalen Netzwerkchips verwendet werden kann, beschrieben. Die Vermessung des Mikrochips im zweiten Teil der Arbeit ermöglicht die Verifikation der Funktionsweise der Zelle und die Anpassung des entwickelten Tunnelstrommodells im verwendeten Herstellungsprozess, so dass eine vollständige Simulation dieses Floating Gate Transistors, eingebettet in Analogschaltungen, durchgeführt werden kann.2015. 140 S. 220 mmVersandfertig in 3-5 Tagen, Softcover.
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Symbolbild
Floating Gate Analogspeicher im Single-Poly UMC 180nm CMOS-Prozess (2015)
DE PB NW RPISBN: 9783639857122 bzw. 3639857127, in Deutsch, AV Akademikerverlag Okt 2015, Taschenbuch, neu, Nachdruck.
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This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - In der vorliegenden Arbeit wird ein Floating Gate Transistor im Single-Poly UMC 0.18_m CMOS-Prozess entwickelt, der zur nichtflüchtigen Speicherung von analogen Spannungswerten in einem hardwarebasierten neuronalen Netz eingesetzt werden kann. Im ersten Teil der Arbeit wird ein Tunnelstrommodell entwickelt, das als Grundlage für den Entwurf einer Speicherzelle, basierend auf einem Floating Gate Transistor, dient. Nachfolgend wird die Implementierung verschiedener Testzellen auf einem Mikrochip in einem Standardprozess, der zur Herstellung der neuronalen Netzwerkchips verwendet werden kann, beschrieben. Die Vermessung des Mikrochips im zweiten Teil der Arbeit ermöglicht die Verifikation der Funktionsweise der Zelle und die Anpassung des entwickelten Tunnelstrommodells im verwendeten Herstellungsprozess, so dass eine vollständige Simulation dieses Floating Gate Transistors, eingebettet in Analogschaltungen, durchgeführt werden kann. 140 pp. Deutsch.
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This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - In der vorliegenden Arbeit wird ein Floating Gate Transistor im Single-Poly UMC 0.18_m CMOS-Prozess entwickelt, der zur nichtflüchtigen Speicherung von analogen Spannungswerten in einem hardwarebasierten neuronalen Netz eingesetzt werden kann. Im ersten Teil der Arbeit wird ein Tunnelstrommodell entwickelt, das als Grundlage für den Entwurf einer Speicherzelle, basierend auf einem Floating Gate Transistor, dient. Nachfolgend wird die Implementierung verschiedener Testzellen auf einem Mikrochip in einem Standardprozess, der zur Herstellung der neuronalen Netzwerkchips verwendet werden kann, beschrieben. Die Vermessung des Mikrochips im zweiten Teil der Arbeit ermöglicht die Verifikation der Funktionsweise der Zelle und die Anpassung des entwickelten Tunnelstrommodells im verwendeten Herstellungsprozess, so dass eine vollständige Simulation dieses Floating Gate Transistors, eingebettet in Analogschaltungen, durchgeführt werden kann. 140 pp. Deutsch.
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DE NWISBN: 9783639857122 bzw. 3639857127, in Deutsch, AV Akademikerverlag, neu.
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DE PB NWISBN: 9783639857122 bzw. 3639857127, in Deutsch, 140 Seiten, Av Akademikerverlag, Taschenbuch, neu.
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