AlGaN-basierte Avalanche-Photodioden für den UV-C Spektralspektralbereich.
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/ Watschke | AlGaN-basierte Avalanche-Photodioden für den UV-C Spektralspektralbereich. | Fraunhofer | 2019
DE NW
ISBN: 9783839615225 bzw. 3839615224, in Deutsch, Fraunhofer Verlag, neu.
Aluminium-Gallium-Nitrid-basierte Photodioden gewährleisten aufgrund der zugänglichen Bandlückenenergien von E(tief)Gap = 3.42. 6.02 eV Absorption im UV-C-Spektralbereich und ermöglichen über Band-zu-Band-Absorption die erforderliche spektrale Sensitivität im Betrieb ohne Vorspannung. Detektoren auf Al(tief)xGa(tief)1"xN-Basis werden mit x(tief)Al > 0.60 in p-i-n- sowie Schottky-Struktur epitaxiert und in Mesadioden prozessiert. Der Einfluss der Substratqualität wird durch die Verwendung von AlN-Substraten und AlN/Saphir-Pseudosubstraten untersucht. Es konnte eine interne Verstärkung im Bereich von O(10(hoch)3. 10(hoch)5) demonstriert werden. Der höchste Wert der internen Verstärkung wird auf AlN/Saphir-Pseudosubstrat nachgewiesen werden. Das Verhältnis aus intern verstärktem Photostromsignal zu Dunkelstrom übersteigt 10(hoch)5. Zusätzlich wird der Einfluss hoher Feldstärken auf die spektrale Sensitivität der Detektoren aufgrund von Elektroabsorption über den Franz-Keldysh-Effekt untersucht. Die theoretisch intrinsisch zu erwartenden Absorptionseigenschaften werden experimentell nicht bestätigt. Vielmehr liegt die Vermutung nahe, dass tiefe Störstellen bei hohen Feldstärken das Elektroabsorptionsverhalten dominieren.
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AlGaN-basierte Avalanche-Photodioden für den UV-C Spektralspektralbereich.
DE NW AB
ISBN: 9783839615225 bzw. 3839615224, in Deutsch, neu, Hörbuch.
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Aluminium-Gallium-Nitrid-basierte Photodioden gewährleisten aufgrund der zugänglichen Bandlückenenergien von E(tief)Gap = 3.42 ... 6.02 eV Absorption im UV-C-Spektralbereich und ermöglichen über Band-zu-Band-Absorption die erforderliche spektrale Sensitivität im Betrieb ohne Vorspannung. Detektoren auf Al(tief)xGa(tief)1-xN-Basis werden mit x(tief)Al 0.60 in p-i-n- sowie Schottky-Struktur epitaxiert und in Mesadioden prozessiert. Der Einfluss der Substratqualität wird durch die Verwendung von AlN-Substraten und AlN/Saphir-Pseudosubstraten untersucht. Es konnte eine interne Verstärkung im Bereich von O(10(hoch)3 ... 10(hoch)5) demonstriert werden. Der höchste Wert der internen Verstärkung wird auf AlN/Saphir-Pseudosubstrat nachgewiesen werden. Das Verhältnis aus intern verstärktem Photostromsignal zu Dunkelstrom übersteigt 10(hoch)5. Zusätzlich wird der Einfluss hoher Feldstärken auf die spektrale Sensitivität der Detektoren aufgrund von Elektroabsorption über den Franz-Keldysh-Effekt untersucht. Die theoretisch intrinsisch zu erwartenden Absorptionseigenschaften werden experimentell nicht bestätigt. Vielmehr liegt die Vermutung nahe, dass tiefe Störstellen bei hohen Feldstärken das Elektroabsorptionsverhalten dominieren.
Aluminium-Gallium-Nitrid-basierte Photodioden gewährleisten aufgrund der zugänglichen Bandlückenenergien von E(tief)Gap = 3.42 ... 6.02 eV Absorption im UV-C-Spektralbereich und ermöglichen über Band-zu-Band-Absorption die erforderliche spektrale Sensitivität im Betrieb ohne Vorspannung. Detektoren auf Al(tief)xGa(tief)1-xN-Basis werden mit x(tief)Al 0.60 in p-i-n- sowie Schottky-Struktur epitaxiert und in Mesadioden prozessiert. Der Einfluss der Substratqualität wird durch die Verwendung von AlN-Substraten und AlN/Saphir-Pseudosubstraten untersucht. Es konnte eine interne Verstärkung im Bereich von O(10(hoch)3 ... 10(hoch)5) demonstriert werden. Der höchste Wert der internen Verstärkung wird auf AlN/Saphir-Pseudosubstrat nachgewiesen werden. Das Verhältnis aus intern verstärktem Photostromsignal zu Dunkelstrom übersteigt 10(hoch)5. Zusätzlich wird der Einfluss hoher Feldstärken auf die spektrale Sensitivität der Detektoren aufgrund von Elektroabsorption über den Franz-Keldysh-Effekt untersucht. Die theoretisch intrinsisch zu erwartenden Absorptionseigenschaften werden experimentell nicht bestätigt. Vielmehr liegt die Vermutung nahe, dass tiefe Störstellen bei hohen Feldstärken das Elektroabsorptionsverhalten dominieren.
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AlGaN-basierte Avalanche-Photodioden für den UV-C Spektralspektralbereich.
~DE PB NW
ISBN: 3839615224 bzw. 9783839615225, vermutlich in Deutsch, Fraunhofer Verlag, Taschenbuch, neu.
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