High Voltage MOS Device Design: Injection Enhancement and Negative Gate Capacitance (Series in Microelectronics)
Ein Angebot gefunden
Bester Preis: € 64,00 (vom 27.11.2018)Aus dem Archiv:
1
High Voltage MOS Device Design: Injection Enhancement and Negative Gate Capacitance (Series in Microelectronics) (2005)
EN PB NW FEISBN: 9783896496942 bzw. 3896496948, in Englisch, 120 Seiten, Hartung-Gorre, Taschenbuch, neu, Erstausgabe.
Lieferung aus: Deutschland, Versandfertig in 1 - 2 Werktagen, Versandkostenfrei. Tatsächliche Versandkosten können abweichen.
Von Händler/Antiquariat, hartung_gorre_verlag.
In this thesis the device physics of injection enhancement effect (IE-effect) and the development of injection enhancement gate transistor (IEGT) is described in detail. IEGT structure reduces the voltage drop in the device and this design concept has become indispensable to realize high voltage MOS devices. Apart from the attractive characteristics, IEGT's show unstable operation phenomena during switching transients such as current oscillation between chips in multi-chip packages. In this work, it has been found for the first time that the instability is due to negative gate capacitance phenomena. This thesis describes device and package design to prevent the undesirable phenomena. IEGT's have been installed to several high power applications and replacing GTO'S. Ichiro Omura was born in Iwate, Japan, on April 13, 1961. He studied mathematics at Department of Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka where he received his master degree of science in 1987. In the following year he joined Toshiba corporation in Japan and involved in device simulator development and semiconductor power device research. Since April 1996, he was an academic guest of Integrated Systems Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology Zurich, Switzerland for 18 months. His research interests are advanced semiconductor power devices for future power electronics applications. Taschenbuch, Ausgabe: 1., Label: Hartung-Gorre, Hartung-Gorre, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2005-09-21, Studio: Hartung-Gorre.
Von Händler/Antiquariat, hartung_gorre_verlag.
In this thesis the device physics of injection enhancement effect (IE-effect) and the development of injection enhancement gate transistor (IEGT) is described in detail. IEGT structure reduces the voltage drop in the device and this design concept has become indispensable to realize high voltage MOS devices. Apart from the attractive characteristics, IEGT's show unstable operation phenomena during switching transients such as current oscillation between chips in multi-chip packages. In this work, it has been found for the first time that the instability is due to negative gate capacitance phenomena. This thesis describes device and package design to prevent the undesirable phenomena. IEGT's have been installed to several high power applications and replacing GTO'S. Ichiro Omura was born in Iwate, Japan, on April 13, 1961. He studied mathematics at Department of Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka where he received his master degree of science in 1987. In the following year he joined Toshiba corporation in Japan and involved in device simulator development and semiconductor power device research. Since April 1996, he was an academic guest of Integrated Systems Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology Zurich, Switzerland for 18 months. His research interests are advanced semiconductor power devices for future power electronics applications. Taschenbuch, Ausgabe: 1., Label: Hartung-Gorre, Hartung-Gorre, Produktgruppe: Book, Publiziert: 2005-09-21, Studio: Hartung-Gorre.
Schlüsselwörter: Architektur, Technik & Ingenieurswesen, Belletristik, Biografien & Erinnerungen, Business, Karriere & Geld, Comics, Mangas & Graphic Novels, Computer & Internet, Eltern & Familie, Fantasy & Science Fiction, Freizeit, Haus & Garten, Geschichte, Gesundheit, Geist & Körper, Jugendbücher, Kalender, Kinderbücher, Kochen & Genießen, Krimis & Thriller, Kunst & Fotografie, Lernen & Nachschlagen, Liebesromane & -erzählungen, Medizin, Musiknoten, Outdoor, Umwelt & Natur, Recht, Reise & Abenteuer, Religion & Esoterik, Sachbücher, Schwul & Lesbisch, Sport & Fitness, Unterhaltung & Kultur, Wissenschaft, Fremdsprachige Bücher
Daten vom 27.11.2018 04:27h
ISBN (andere Schreibweisen): 3-89649-694-8, 978-3-89649-694-2
Daten vom 27.11.2018 04:27h
ISBN (andere Schreibweisen): 3-89649-694-8, 978-3-89649-694-2
Zuerst gefunden: 27.11.2018 04:27:46
Zuletzt gefunden: 27.11.2018 04:27:46
Kleinster Preis: € 64,00 (vom 27.11.2018 04:27:46)
Höchster Preis: € 64,00 (vom 27.11.2018 04:27:46)
Fundstellen insgesamt: 1
Zuletzt gefunden: 27.11.2018 04:27:46
Kleinster Preis: € 64,00 (vom 27.11.2018 04:27:46)
Höchster Preis: € 64,00 (vom 27.11.2018 04:27:46)
Fundstellen insgesamt: 1
Momentan keine Suchergebnisse - vielleicht bald lieferbar
Ihre Suche nach ist bei mehr als 100 angebundenen Webshops momentan nicht lieferbar. Wir finden dieses Buch aber trotzdem innerhalb weniger Wochen.
Sie Suchen nach diesem Buch:Ichiro Omura: High Voltage MOS Device Design: Injection Enhancement and Negative Gate Capacitance (Series in Microelectronics)
ISBN: 9783896496942
Speichern Sie diese Suche kostenlos in ab, dann werden Sie automatisch benachrichtigt, sobald dieses Buch verfügbar ist. Meistens finden wir dieses Buch innerhalb weniger Wochen und verständigen Sie dann per E-Mail. Sie können dann frei entscheiden, ob Sie das Buch kaufen wollen oder nicht.
Unsere Suchtipps für Ihre Suche:
- Alle Bücher des Autors.: Suche nach "Autor: ichiro omura" liefert mehr Ergebnisse
- Suchen nach Suchbegriffen wie Autor oder Titel des Buches sind erfolgreicher als solche nach der ISBN.: Suche nach "microelectronics enhancement capacitance ichiro omura" liefert mehr Ergebnisse
Sie haben jetzt folgende Möglichkeiten:
- Speichern Sie diese Seite in Ihren Lesezeichen oder Favoriten ab, dann können Sie jederzeit die Suche erneut ausführen.
- Das Buch ist tatsächlich derzeit vergriffen bzw. nicht lieferbar. Es ist z.B. eine Rarität. Möglicherweise ist es aber in einiger Zeit lieferbar. Speichern Sie dazu diese Suche kostenlos ab oder lassen Sie sich kostenlos auf dieses Gerät benachrichten und Sie werden automatisch per E-Mail oder Nachricht informiert, sobald dieses Buch wieder lieferbar wird. Wir sind zuversichtlich, dass wir jedes Buch auf diese Weise innerhalb relativ kurzer Zeit finden. Probieren Sie es einfach aus!
Mich bei neuen Ergebnissen benachrichtigenSuche jetzt kostenlos SpeichernIn 50 Millionen auch bereits vergriffenen Büchern recherchieren!
Anmeldung mit Google:
ODER
Anmeldung mit Facebook:
Lade…